三星開始大規模生產10納米級DRAM

2019-12-24 17:21:51 編輯：來源：

導讀三星宣布，三星已開始大規模生產10納米級8千兆位(GB)雙數據速率4(DDR 4)DRAM，并于2月份開始生產存儲芯片。該公司沒有透露確切的尺寸，但一位知情人士告訴ZDNet，它是18納米級的，已經運往客戶。該公司稱，它的傳輸速率為每秒3200兆比特，并為企業客戶進行了優化。三星是世界上最大的內存芯片制造商，是競爭對手SKHynix和Micron中第一個在10納米級制造DRAM的公司。它說它

三星宣布，三星已開始大規模生產10納米級8千兆位(GB)雙數據速率4(DDR 4)DRAM，并于2月份開始生產存儲芯片。

該公司沒有透露確切的尺寸，但一位知情人士告訴ZDNet，它是18納米級的，已經運往客戶。

該公司稱，它的傳輸速率為每秒3200兆比特，并為企業客戶進行了優化。

三星是世界上最大的內存芯片制造商，是競爭對手SKHynix和Micron中第一個在10納米級制造DRAM的公司。它說它使用了四元組模式技術，首先用于NAND閃爍，在DRAM上。

NAND閃光燈單元只需要一個晶體管，但DRAM需要在每個單元晶體管上安裝一個電容，這要求兩者都集成得更小。

三星表示，由于其非常大規模的集成技術，新的DRAM處理數據的速度比之前的20納米級8GB DDR4DRAM快了30%，耗電量減少了20%。三星于2014年開始生產20納米級DRAM。

該公司表示，該公司正在為PC和服務器生產這些設備，并將在今年晚些時候推出用于移動的DRAM。它自己的旗艦手機和其他那些定于今年秋天發布的客戶都很有可能獲得芯片。

該公司的目標可能是進一步縮小其DRAM的規模，在未來的10納米級的早期和中期。

SKHynix和Micron正在開發自己的10納米級DRAM，并可能在今年年底將其商業化。

據Stat is ta的數據，截至去年第四季度，該公司在DRAM中的市場份額為46.4%，其次是SK Hynix的27.9%和Micron的18.9%。

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