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三星除了是一家消費電子巨頭之外,也是世界上最重要的計算機部件制造商之一,事實上,它于1997年發明了DDRRRAM,繼2001年的DDR2和2005年的DDR3之后。 鞏固其地位,三星宣布它已經完成了該行業第一個DDR4D RAM模塊的開發,使用30nm級工藝技術。

在超低壓(1.2V)下實現前所未聞的數據傳輸速度(2.133Gbps),DDR4模塊已被提供給控制器制造商進行最終測試。
[RELATED_ARTICLE]與30nm級工藝1.5V DDR3D RAM相比,新的DDR4D RAM模塊顯然將功耗降低到近40%。 這種功率效率在很大程度上是由于三星開發的偽開漏(POD)技術,它占用了DDR3RAM的大約50%的電流用于讀/寫過程。 新的電路結構還允許大規模的速度提升,允許DDR4以1.6Gbps到3.2Gbps的速度運行,幾乎是今天DDR3RAM的1.6Gbps和DDR2RAM的800Mbps的典型速度的兩倍。
在DDR4技術的JEDEC標準化之后,最新的RAM模塊將只能在下半年到達。 三星內存部門總裁董秀軍在一份聲明中說:
三星一直積極支持IT行業的綠色記憶倡議,推出環保、創新的內存產品,每年提供更高的性能和電力效率。 新的DDR4D RAM將建立更大的信心,我們的尖端綠色內存,特別是當我們引入四千兆DDR4基產品使用下一代工藝技術的主流應用?!?/p>
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