三星推出用于半導體產(chǎn)品的新材料

2022-07-27 10:23:30 編輯：黨環(huán)泰來源：

導讀三星高級技術(shù)學院(SAIT)的研究人員宣布發(fā)現(xiàn)了一種新材料-非晶氮化硼(a-BN)。該發(fā)現(xiàn)是與蔚山國立科學技術(shù)研究院(UNIST)和劍橋大學的專家合作...

三星高級技術(shù)學院(SAIT)的研究人員宣布發(fā)現(xiàn)了一種新材料-非晶氮化硼(a-BN)。該發(fā)現(xiàn)是與蔚山國立科學技術(shù)研究院(UNIST)和劍橋大學的專家合作完成的。據(jù)說將加速下一代半導體產(chǎn)品的出現(xiàn)。

最近，SAIT一直在研究和開發(fā)二維(2D)材料-包括石墨烯在內(nèi)的單原子層的晶體材料。研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種新的石墨烯晶體管和一種用于生產(chǎn)大面積單晶晶片的新方法。

三星推出用于半導體產(chǎn)品的新材料

最近發(fā)現(xiàn)的一種稱為非晶氮化硼(a-BN)的材料由硼和氮原子組成。盡管非晶態(tài)氮化硼是由白色石墨烯制成的，其中包括以六角形結(jié)構(gòu)排列的硼原子和氮原子，但a-BN的非晶態(tài)分子結(jié)構(gòu)使其具有獨特的區(qū)別。

非晶氮化硼的最佳超低介電常數(shù)為1.78。由于其合適的電氣和機械性能，該材料可用作絕緣材料，以最大程度地減少電氣干擾。還已經(jīng)證明該材料可以在相對較低的400°C溫度下在晶圓上生長。非晶態(tài)氮化硼有望廣泛用于DRAM和NAND等半導體產(chǎn)品，尤其是在下一代服務(wù)器解決方案中。

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