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臺積電基于GAA-FET的2nm芯片將于2023年投入量產

2022-08-08 18:36:30 編輯:馬天林 來源:
導讀 據報道,臺積電(TSMC)正式啟動其2nm工藝節點的研發工作僅一年多后,預計其新技術將在2023年投入量產。據的一份報告稱,該公司將放棄較老的F...

據報道,臺積電(TSMC)正式啟動其2nm工藝節點的研發工作僅一年多后,預計其新技術將在2023年投入量產。據的一份報告稱,該公司將放棄較老的Fin- FET工藝,并為其2nm節點使用GAA-FET。臺積電尚未在這方面正式宣布。但是,這可能只是時間問題。

根據先前的報道,臺積電將在該公司位于新竹市南部科技園區的先進工廠大規模生產2nm芯片。但是,盡管較早的時間表表明生產可能在2024年開始,但最新的報告現在表明可能在2023年生產。

同時,據報道,臺積電還完成了其3nm工藝(“ N3”)的設計工作。據預計進入試生產中的2021年上半年不同的是2nm的節點,該節點為3nm會使,因為它的成熟度,可靠性和成本效率的使用FinFET技術的。在性能和速度方面,TSMC聲稱在等功率情況下,N3的速度將比N5提供10-15%的速度提高,在等速度時的功率降低25-30%。

據報道,該公司還在研究一種稱為“ N4”的新型4nm架構,該架構可能會在2023年投入生產。這將是對其“增強型” 5nm工藝節點N5P的改進。同時,該公司仍預計其7nm節點將貢獻今年的大部分收入。那么您對臺積電的新技術感到興奮嗎?您期望它改善新芯片的性能和電源效率嗎?在下面的評論中讓我們知道。


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