6月28日消息，根據三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工論壇（SFF 2023）上公布的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在2025年推出2納米級的SF2工藝，2027年推出1.4納米級的SF1.4工藝。與此同時，該公司還公布了SF2工藝的一些特性。

三星的SF2工藝是在今年早些時候推出的第三代3納米級（SF3）工藝的基礎上進一步優化的。相較于SF3工藝，SF2工藝在相同的頻率和復雜度下提高了25%的功耗效率，在相同的功耗和復雜度下提高了12%的性能，并在相同的性能和復雜度下減少了5%的面積。為了提高SF2工藝的競爭力，三星還將為該工藝提供一系列先進的IP組合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。

除SF2之外，三星還計劃在2026年推出針對高性能計算（HPC）優化的SF2P工藝，并在2027年推出針對汽車應用優化的SF2A工藝。與此同時，在2027年，該公司還計劃開始使用SF1.4（1.4納米級）制造工藝進行量產。三星的2納米級工藝預計與臺積電的N2（2納米級）工藝大致同步，比英特爾的20A工藝晚約一年左右。

IT之家注意到，除了不斷提升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼續發展其射頻技術。該公司預計其5納米射頻工藝技術將于2025年上半年準備就緒。相較于舊版的14納米射頻工藝，三星的5納米射頻預計可以提高40%的功耗效率，并提高約50%的晶體管密度。此外，三星還將于2025年開始生產氮化鎵（GaN）功率半導體，用于消費品、數據中心和汽車領域等各種應用。

在擴大技術供應方面，三星代工仍致力于增加其在韓國平澤和美國得州泰勒市的制造能力。三星計劃于2023年下半年在其平澤3號生產線（P3）開始量產芯片。泰勒市新建廠房預計將于今年年底完工，并于2024年下半年開始運營。三星目前的計劃是到2027年將其潔凈室容量比2021年增加7.3倍。