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三星率先采用 GAA 節點
2022-10-12 14:40:38
編輯：杜儀旭
來源：
導讀 當三星今年早些時候宣布已開始使用其 3GAE(3nm 級，早期全柵極)工藝技術開始批量生產芯片時，它從未透露它在其領先節點上制造了什么樣的...
當三星今年早些時候宣布已開始使用其 3GAE(3nm 級，早期全柵極)工藝技術開始批量生產芯片時，它從未透露它在其領先節點上制造了什么樣的組件。看起來，三星使用 3GAE 制造用于加密貨幣挖掘的專用集成電路 (ASIC)。
三星3GAE 制造技術是業界首個依靠環柵 (GAA) 晶體管的工藝，三星稱之為 MBCFET(多橋通道場效應晶體管)。GAA 晶體管架構減少了漏電流，因為柵極現在被所有四個側面的溝道包圍;它還可以通過調整通道的通道厚度來改變晶體管性能和功耗。GAAFET 對高性能和移動應用程序特別有利，這就是英特爾和臺積電等公司努力在 2024 年至 2025 年使用它們的原因。
但根據TrendForce的說法，第一個使用 GAAFET 的商業芯片似乎是一種加密貨幣挖掘 ASIC。TrendForce 的分析師認為，該公司僅在明年才會使用 3GAE 制造工藝生產移動片上系統。
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