三星開發了新的堆垛工藝forDRAM

2020-04-01 11:34:09 編輯：來源：

導讀三星宣布，它已經開發了一個全D RAM疊加內存包使用“通過硅通”(T SV)技術，這據稱導致內存包更快，更小，消耗更少的功率。通常，存儲器芯片是通過電線鍵合連接的，這需要模具之間的垂直間隔。三星的WSP技術使用垂直在硅中制造的微米大小的孔直接用銅填充連接存儲電路，消除了對間隙的需求。三星電子(SamsungElectronics)內存事業部互聯技術開發團隊副總裁鐘泰京(Tae-Gyeong

三星宣布，它已經開發了一個全D RAM疊加內存包使用“通過硅通”(T SV)技術，這據稱導致內存包更快，更小，消耗更少的功率。通常，存儲器芯片是通過電線鍵合連接的，這需要模具之間的垂直間隔。三星的WSP技術使用垂直在硅中制造的微米大小的孔直接用銅填充連接存儲電路，消除了對間隙的需求。

三星電子(SamsungElectronics)內存事業部互聯技術開發團隊副總裁鐘泰京(Tae-Gyeong Chung)表示：“基于TSV的新型MCP（多芯片封裝）疊加技術提供了下一代封裝解決方案，將滿足日益增長的對小型、高速、高密度存儲器的需求。 “此外，我們的WSP技術所取得的性能進步可用于許多不同的半導體封裝組合，例如邏輯與內存相結合的封裝系統解決方案。”三星的WSP技術不僅是為了減少封裝的整體尺寸，而且還允許芯片更快地運行和使用更少的功率。雖然所有這些聽起來都很有趣，但新聞稿暗示，這項技術是為2010年及以后的下一代計算系統設計的。

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