華為有新的芯片封裝組件制造工藝

2021-12-09 09:33:15 編輯：莘育美來源：

導(dǎo)讀今年7月，華為申請(qǐng)了一項(xiàng)新專利——芯片封裝組件及其制造工藝。根據(jù)中國知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)據(jù)庫，公司專利已于2021年11月26日通過該專利，并在中國

今年7月，華為申請(qǐng)了一項(xiàng)新專利——“芯片封裝組件及其制造工藝”。根據(jù)中國知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)據(jù)庫，公司專利已于2021年11月26日通過該專利，并在中國公開號(hào)為CN113707623A。

根據(jù)專利申請(qǐng)，華為的這項(xiàng)專利屬于芯片封裝組件、電子設(shè)備以及芯片封裝組件的制造工藝。這項(xiàng)專利技術(shù)可以更好的解決部分散熱問題。

專利說明：

芯片封裝組件包括封裝基板、芯片以及散熱器。封裝基板包括上導(dǎo)電層、下導(dǎo)電層以及連接在上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電部。

芯片包括彼此相對(duì)設(shè)置且同樣嵌入封裝基板的正面電極與背面電極，導(dǎo)電部環(huán)繞芯片，正面電極連接下導(dǎo)電層，背電極連接上導(dǎo)電層。導(dǎo)電層。

散熱部連接上導(dǎo)電層遠(yuǎn)離芯片的表面。上導(dǎo)電層、下導(dǎo)電層和導(dǎo)電部具有導(dǎo)熱性。芯片連接封裝基板的上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層，使得芯片產(chǎn)生的熱量可以雙向傳導(dǎo)和消散。

上導(dǎo)電層上設(shè)有散熱部，可使芯片封裝組件達(dá)到較佳的散熱效果。而且散熱問題比較嚴(yán)重，如果芯片不能有效散熱，就會(huì)存在一定的安全隱患。

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