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韓國蔚山國家科學技術研究院(UNIST)的研究人員最近介紹了一種方法,用于生產薄而有圖案的過渡金屬雙胞脲薄膜,并將其集成到二維金屬半導體中。他們的合成技術,發表在《自然電子》雜志上的一篇論文中,可以緩解現有的基于2d材料的電子產品的高接觸電阻所帶來的挑戰。 石墨烯是一種非常適合發展電子學的材料,自從石墨烯被發現以來,其他具有類似特性的二維層狀材料受到了廣泛關注。這些材料包括過渡金屬硫族化合物,
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