三星在GTC 2019上發布了最新的第三代HBM2(第二代高帶寬內存)，稱之為Flashbolt。三星的HBM2E內存能夠在單個堆棧中實現3.2Gb / s的傳輸速度和高達16GB的容量，使前幾代HBM2內存相形見絀，甚至使AMD Radeon VII的16GB四核HBM2以2Gb / s的速度運行也相當平民化。 。

盡管與GDDR5 / 6產品相比占地面積相對較小，但每個HBM2封裝內最多有8個存儲器堆棧(8-Hi)，通過硅通孔(TSV)連接。AMD利用其Vega架構采用HBM2的小封裝尺寸，在RX Vega 64和RX Vega 56中安裝了8GB的內容。隨后，隨著Radeon VII的推出，它的前輩產能增加了一倍，達到16GB的HBM2。這是通過四個內存堆棧(4-Hi一塊)實現的。

然而，只需一個8-Hi三星Flashbolt HBM2E封裝即可實現。每個裸片都具有16Gb的巨大容量，可以疊加8個裸片，并且您擁有16GB的封裝，可管理410 GB / s的數據帶寬。

“Flashbolt業界領先的性能將為下一代數據中心，人工智能，機器學習和圖形應用提供增強的解決方案，”三星內存產品高級副總裁Jinman Han表示。“我們將繼續擴大我們的優質DRAM產品，并改善我們的'高性能，高容量，低功耗'內存部分，以滿足市場需求。”

目標：這是最好的游戲鼠標左右

但HBM2價格昂貴。在試圖推出針對消費者目標的HBM2顯卡時，AMD已經因內存價格問題而陷入困境，最近才開始與Radeon VII進行價格/性能關系。因此，這種高性能存儲技術從新興的專業GPU和IC市場中獲得了最大的喜愛。

Nvidia在Titan V中填充了12GB的HBM2，但從未在主流市場的內存技術上大跌眼鏡。相反，綠色團隊在RTX 20系列和16系列顯卡中選擇了更便宜且功能更強的GDDR6封裝，唯一的例外是GDDR5上的GTX 1660。

就在一年多前，三星推出了第二代HBM2，綽號為Aquabolt：8GB HBM2以2.4Gb / s的速度運行，總計307.2GB / s。這已經超過了它的第一代內存，它必須打破HBM2規格并將電壓提高到1.35V以打破2Gb / s的屏障。到目前為止，三星已經對Flashbolt電壓保持穩定，但可能需要再次將電壓提升至3.2Gb / s。