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SK 海力士發布新型 PLC 雙 2.5 bit 單元 寫入速度與 TLC看齊

2023-08-21 19:09:28 編輯:寇軍靈 來源:
導讀 SK 海力士將計劃2025年上半年量產三層堆棧架構的321層NAND閃存。提高存儲密度的手段,除了提高層數之外也包括著其他的方案。4bit單元型3D...

SK 海力士將計劃2025年上半年量產三層堆棧架構的321NAND閃存。提高存儲密度的手段,除了提高層數之外也包括著其他的方案。4bit單元型3D NAND閃存已經實現商業化,SSD受益于此價格也隨之開始降低。當下市場上SSD的價格有一點上漲跡象,但是很多的廠家開始研發下一代5bit單元方案。通過全新的研發,能夠讓大家擁有容量更大以及速度更快的固態硬盤。

在FMS 2023閃存峰會上,SK 海力士展示了新型PLC技術的研究成果。這項技術的基本原理是用兩個2.5 bit 單元,這樣雙線程同時寫入會比5bit存儲要快得多。SK海力士設計新型PLC,將一個 5 bit 單元分為兩個 2.5 bit 點位,每個點存儲 2.5 bit 。綜合各個點的數據獲得5 bit數據,就可以使PLC寫入時間與TLC基本上相同。


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