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全球柵極驅動器IC 市場 按晶體管類型(MOSFET 和 IGBT)、半導體材料(Si、SiC 和 GaN)、連接模式(晶體管上和分立式)細分)、隔離技術(磁隔離、電容隔離和光隔離)和應用(住宅、工業和商業):全球機會分析和行業預測,2020 - 2030 年。它發表在電子元件類別下的評估報告中。

2020 年全球柵極驅動器 IC 市場 價值12 億美元,預計到 2030 年將達到18.8 億美元,2021 年至 2030 年的復合年增長率為 5%
推動柵極驅動器 IC 市場增長的主要因素:
智能家居和智能電網技術的采用正在上升,對高壓設備的需求也在上升,這是影響全球柵極驅動器 IC 市場的兩個關鍵方面。此外,柵極驅動器 IC 的復雜設計對市場也有影響。
此外,市場增長在一定程度上受到汽車快速電氣化和不同可再生能源系統中功率晶體管激增的影響。在預計期間,預計這些變量中的每一個都會對全球柵極驅動器 IC 市場產生重大影響。
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