7月31日，新華網(wǎng)發(fā)布一篇文章對國產(chǎn)光刻機如何突圍做出了自己的觀點。最近這兩年來，國產(chǎn)光刻機在低調(diào)的發(fā)展，相關的內(nèi)容進展也一直有所保留，雖然小道消息傳出不斷。但是經(jīng)過官方驗證的消息卻很少，從目前國產(chǎn)光刻機的發(fā)展進度來看，這些光刻機的發(fā)展速度，也比預想中要快一些，光刻機關鍵環(huán)節(jié)或許正在突破。

新華網(wǎng)此次的消息中透露，上海微電子正在致力于研發(fā)28納米的浸沒式光刻機，預計將會在3202年年底實現(xiàn)量產(chǎn)，將第一臺SSA/800-10W光刻機設備交付給市場。此前華為獲得的一項最新專利，極紫外光刻機設備也在核心技術方面取得了突破性的進展，國家知識產(chǎn)權局公布了華為在這方面的一項最新專利。

此次透露出了這些消息，真實性是毫無疑問的，畢竟是官方媒體公布的信息，信息來源是肯定靠譜的。這些事情的來源如果屬實，上海微電子能夠生產(chǎn)28納米的光刻機，意味著我國已經(jīng)解決光刻機研制從無到有的問題。其次華為的反射鏡，光刻裝置以及控制方法的研制成功，意味著我們能夠在極紫外線光刻機領域實現(xiàn)從1到100的突破。

各種關鍵信息來看，關鍵環(huán)節(jié)的突破問題對于我們來說只剩下時間，畢竟中國光刻機設備的消息早在此前就已經(jīng)傳出很多卡脖子技術的突破問題。外界永遠不對這些方面不知道進度，等知道這些進度的時候，國產(chǎn)光刻機已經(jīng)實現(xiàn)了大規(guī)模的量產(chǎn)。現(xiàn)在對于我們來說高端光刻機還是比較不容樂觀的，仍舊受到國外勢力的卡脖子現(xiàn)象，我國的半導體行業(yè)發(fā)展形式受限。