半導(dǎo)體領(lǐng)域，很多業(yè)內(nèi)人士都在議論英特爾修改命名，縮短與臺(tái)積電的實(shí)際差距，或者是在議論臺(tái)積電與三星誰(shuí)能率先突破二納米技術(shù)，在這些事情還未有定論的時(shí)候，臺(tái)積電已經(jīng)憑借先進(jìn)封裝技術(shù)走在了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的前面，成功幫助油盡燈枯的摩爾定律再續(xù)命。

如果按照傳統(tǒng)封裝的步驟，需要將芯片的裸片放到基板上，后續(xù)引出管腳和引線，再將它們固定封裝到另外一個(gè)外殼中，這樣才可以正常的運(yùn)用在電路里，如果使用金屬間距，也就是一些引線當(dāng)中的間距，理論來(lái)說(shuō)引線數(shù)量越多，不同芯片之間的連接效率就會(huì)變得越來(lái)越高，整體的性能也會(huì)變得更好一些，但是由于引線是金屬材質(zhì)的，如果密度升高的話，整體的功耗和發(fā)熱情況也會(huì)變得更加嚴(yán)重。

在這種背景下，如果想要提升這方面的性能，就顯得更加的困難，臺(tái)積電各類(lèi)封裝模式下構(gòu)思出了一個(gè)大膽的方案，與其冒險(xiǎn)增加引線的密度，倒不如直接將兩塊芯片封裝到一個(gè)硅片上，這樣就能將電信號(hào)傳輸延遲的問(wèn)題得到改善，而且金屬材質(zhì)的弊端也能夠有效的解決，從原先的先鋒再拼轉(zhuǎn)變成先拼再封的概念，這就是臺(tái)積電的先進(jìn)封裝理念。

不過(guò)當(dāng)時(shí)臺(tái)積電的這種構(gòu)想實(shí)在太過(guò)大膽，而且在商業(yè)上也缺乏一些實(shí)際運(yùn)行的可行性，對(duì)于代工廠而言，提升芯片制程的性能才是性價(jià)比最高的事情，臺(tái)積電花費(fèi)重金投入先進(jìn)封裝領(lǐng)域，可以說(shuō)是性價(jià)比極低的事情，與其他類(lèi)似的技術(shù)相比，臺(tái)積電推出的先進(jìn)封裝技術(shù)，主要突出的優(yōu)勢(shì)就是體現(xiàn)在連接裸片的方式上，通過(guò)重新布線和使用微凸塊等技術(shù)，代替了傳統(tǒng)的引線用于裸片之間的連接，這樣就大大提升了互聯(lián)的整體密度。