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先進封裝 成臺積電的另一把尖刀

2023-07-04 15:30:43 編輯:薛新真 來源:
導讀 半導體領域,很多業內人士都在議論英特爾修改命名,縮短與臺積電的實際差距,或者是在議論臺積電與三星誰能率先突破二納米技術,在這些事情...

半導體領域,很多業內人士都在議論英特爾修改命名,縮短與臺積電的實際差距,或者是在議論臺積電與三星誰能率先突破二納米技術,在這些事情還未有定論的時候,臺積電已經憑借先進封裝技術走在了競爭對手的前面,成功幫助油盡燈枯的摩爾定律再續命。

如果按照傳統封裝的步驟,需要將芯片的裸片放到基板上,后續引出管腳和引線,再將它們固定封裝到另外一個外殼中,這樣才可以正常的運用在電路里,如果使用金屬間距,也就是一些引線當中的間距,理論來說引線數量越多,不同芯片之間的連接效率就會變得越來越高,整體的性能也會變得更好一些,但是由于引線是金屬材質的,如果密度升高的話,整體的功耗和發熱情況也會變得更加嚴重。

在這種背景下,如果想要提升這方面的性能,就顯得更加的困難,臺積電各類封裝模式下構思出了一個大膽的方案,與其冒險增加引線的密度,倒不如直接將兩塊芯片封裝到一個硅片上,這樣就能將電信號傳輸延遲的問題得到改善,而且金屬材質的弊端也能夠有效的解決,從原先的先鋒再拼轉變成先拼再封的概念,這就是臺積電的先進封裝理念。

不過當時臺積電的這種構想實在太過大膽,而且在商業上也缺乏一些實際運行的可行性,對于代工廠而言,提升芯片制程的性能才是性價比最高的事情,臺積電花費重金投入先進封裝領域,可以說是性價比極低的事情,與其他類似的技術相比,臺積電推出的先進封裝技術,主要突出的優勢就是體現在連接裸片的方式上,通過重新布線和使用微凸塊等技術,代替了傳統的引線用于裸片之間的連接,這樣就大大提升了互聯的整體密度。


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